Abb. 5. (a) Ambipolarer E-Feld-Effekt in einschichtigem Graphen. Die Gate-Spannung und die Temperaturabhängigkeit des spezifischen Widerstands der Probe mit hoher Mobilität (μ ≈ 20,000 cm2 V-1s−1). (b) ρ gegen Vg bei drei repräsentativen Temperaturen, T = 0.03 K, 77 K und 300 K, die ähnliche Leistungen aufgrund von Null-Phononen-Streuung zeigen. Teil (a) und (b) reproduziert mit Genehmigung von Eur. Phys. J. Sonderthemen, EDV-Wissenschaften, Springer-Verlag, 148, 15 (2007). (c) Chirale Graphen-Quanten-Hall-Effekte. Wiedergabe mit freundlicher Genehmigung von Physics Today, 60(8), 35 (2007).

Abb. 5. (a) Ambipolarer E-Feld-Effekt in einschichtigem Graphen. Das Tor
Spannungs- und Temperaturabhängigkeit des spezifischen Widerstands der hohen Mobilität
Probe (μ ≈ 20,000 cm2 V-1s−1). (b) ρ gegen Vg bei drei Repräsentanten
Temperaturen, T = 0.03 K, 77 K und 300 K zeigen ähnliche Leistungen
aufgrund von Null-Phononen-Streuung. Die Teile (a) und (b) wurden mit Genehmigung wiedergegeben
von Eur. Phys. J. Sonderthemen, EDV-Wissenschaften, Springer-Verlag, 148,
15 (2007). (c) Chirale Graphen-Quanten-Hall-Effekte. Reproduziert mit
Erlaubnis von Physics Today, 60(8), 35 (2007).

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